一、產(chǎn)品介紹：

CIF推出RIE反應離子刻蝕機，采用RIE反應離子誘導激發(fā)方式，實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特別適合于大學，科研院所、微電子、半導體企業(yè)實驗室進行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。適用于所有的基材及復雜的幾何構形進行RIE反應離子刻蝕。具體包括：

u 介電材料（SiO2、SiNx等）

u 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

u III-V材料（GaAs、InP、GaN等）

u 濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W等）

u 類金剛石（DLC）     

二、產(chǎn)品特點

u 7寸彩色觸摸屏互動操作界面，圖形化用戶操作界面顯示，自動監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài)，20個配方程序，可存儲、輸出、追溯工藝數(shù)據(jù)，機器運行、停止提示。

u PLC工控機控制整個清洗過程，手動、自動兩種工作模式。

u 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì)，耐腐蝕無污染。

u 采用防腐數(shù)字流量計，實現(xiàn)對氣體輸入精準控制。標配雙路氣體輸送系統(tǒng)，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，氣體分配均勻。可輸入氧氣、氬氣、氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

u 采用花灑式多孔進氣方式，改變傳統(tǒng)等離子清洗機單孔進氣不均勻問題。

u HEPA高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。

u 符合人體功能學的60度傾角操作界面設計，操作方便，界面友好。

u 采用頂置真空倉，上開蓋設計，下壓式鉸鏈開關方式。

u 上置式360度水平取放樣品設計，符合人體功能學，操作更方便。

u 有效處理面積大，可處理直徑200mm晶元硅片。

u 安全保護，倉門打開，自動關閉電源。

三、技術參數(shù)